Lexar NM800 M.2 2280 PCIe Gen 4×4 NVMe固態(tài)硬盤(pán)夠以更快的速度載入和傳輸數(shù)據(jù),提供更強(qiáng)大的計(jì)算能力,旨在為游戲和硬盤(pán)發(fā)燒友提供更疾速的體驗(yàn),帶您馳騁于高達(dá)7400MB/s讀取速度,5800MB/s寫(xiě)入速度1的高速通道。這是為游戲狂人打造,更是充分滿足各類高強(qiáng)度工作需求的專業(yè)固態(tài)硬盤(pán)。
采用PCIe Gen 4×4規(guī)格,支持NVMe1.4高速技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),讀取速度高達(dá)7400MB/s,寫(xiě)入速度高達(dá)5800MB/s1,加速載入工作游戲,縮短開(kāi)機(jī)速度,有效提高系統(tǒng)響應(yīng)能力。升級(jí)到Lexar Professional NM800,相較于上一代PCIe Gen 3×4性能,速度提升約2.1倍3,性能更強(qiáng)勁,享受暢快體驗(yàn)。
低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)可以修復(fù)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,提前杜絕減速的可能,讓數(shù)據(jù)傳輸更可靠。
NM800采用新一代12nm定制主控,相比于之前普遍使用的28nm工藝,可有效大幅降低工作功耗。專為高負(fù)載密集型工作用戶設(shè)計(jì)適配算法,在滿足用戶靈活使用需求的同時(shí),提供更強(qiáng)大的計(jì)算能力。
自帶新一代復(fù)合材料散熱貼,全覆蓋主控與顆粒,始終控制工作溫度,馳騁戰(zhàn)場(chǎng)時(shí)也無(wú)需擔(dān)心固態(tài)硬盤(pán)高溫過(guò)載,保證長(zhǎng)時(shí)間工作流暢。
所有Lexar雷克沙產(chǎn)品均通過(guò)準(zhǔn)智能制造、高度自動(dòng)化和信息化的設(shè)備生產(chǎn),且還會(huì)經(jīng)過(guò)雷克沙質(zhì)量實(shí)驗(yàn)室的專業(yè)設(shè)備的大量測(cè)試。
Form Factor
M.2 2280
接口
PCIe Gen4x4
速度
1TB —順序讀取速度高達(dá)7400MB/s,寫(xiě)入速度高達(dá)5800MB/s1
IOPS: up to R/W 400/750K
512GB —順序讀取速度高達(dá)7000MB/s,寫(xiě)入速度高達(dá)3000MB/s1
IOPS: up to R/W 200/550K
工作溫度
0°C to 70°C (32°F to 158°F)
存儲(chǔ)溫度
-40°C to 85°C (-40°F to 185°F)
尺寸(長(zhǎng)x寬x高)
80 x 22 x 2.45 mm / 3.15” x 0.87” x 0.10”
重量
9g
質(zhì)保
五年有限質(zhì)保
抗沖擊
1500G, 持續(xù)時(shí)間0.5ms, 半正弦波
抗震
10~2000Hz, 1.5mm, 20 G, 1 Oct/min, 30min/軸(X,Y,Z)
TBW
512GB: 1500TBW,1TB: 3000TBW
DWPD
0.44
NAND flash
3D TLC
MTBF
1,500,000 Hours
1 速度基于Lexar質(zhì)量實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,實(shí)際性能可能有所變化。
2抗沖擊(1500G,持續(xù)時(shí)間0.5ms,半正弦波)和抗震(10-2000Hz,1.5mm,20G,1 Oct/min,30min/軸(X、Y、Z))?;趦?nèi)部測(cè)試。實(shí)際性能可能有所變化。
3比較結(jié)果基于內(nèi)部測(cè)試。實(shí)際性能可能有所變化。
[注意:]
安全保護(hù),按其性質(zhì)而言,是能夠回避的。Lexar 不保證數(shù)據(jù)將百分百不會(huì)遇到未經(jīng)授權(quán)的訪問(wèn)、更改或毀壞。
實(shí)際可以使用的存儲(chǔ)容量可能有所不同。1GB等于10億字節(jié)。
產(chǎn)品外觀、速度性能、軟件產(chǎn)品和包裝可能因發(fā)貨日期和可供存貨而有所變化。
對(duì)產(chǎn)品中存儲(chǔ)的個(gè)人數(shù)據(jù)不承擔(dān)責(zé)任,請(qǐng)備份個(gè)人數(shù)據(jù)。
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